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2018/08/15
咨询成果
发布成果基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域 电子元器件
- 项目名称 N型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的SJ‑LDMOS器件结构中引入一层N型埋层，该埋层位于超级结层上方。与传统的SJ‑LDMOS相比，本发明通过了N型埋层的作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；同时，N型埋层额外增加一条新的导电路径，降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压、低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ‑LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2018/02/27
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
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