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2018/08/14
咨询成果
发布成果基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域 电子元器件
- 项目名称 基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料及其制作方法
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明公开了一种基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)将γ面LiAlO2衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.2‑100μm，O掺杂浓度为3×1017cm‑3～3×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～2×1019cm‑3的高温有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为2×1017cm‑3～3×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明具有工艺简单，成本低，发光效率高的优点，可用于制作非极性m面GaN黄光发光二极管。
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2018/03/06
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
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