登录/注册
您当前的位置:成果库 > 单轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法

单轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法

4812018/08/08
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 单轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明涉及一种单轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法,该方法包括:将MOS芯片放置在底座(I)上;将横压条(IV)放置在MOS芯片的上表面的中心位置处;将压架(II)放置于底座(I)的正上方,压架(II)的第三螺孔与底座(I)的第一螺孔对齐并通过螺钉固定;测试MOS芯片施加单轴应力前的第一输出特征曲线;将顶杆(III)安装于压架(II)的中心横杆位于中心位置处的第二螺孔中;将标尺架(V)安装于压架(II)的中心横杆的正上方,并使标尺架(V)的螺杆手柄与中心横杆的第二螺孔相连接;转动螺杆手柄以使顶杆(III)与横压条(IV)表面接触以对待测MOS芯片施加单轴应力;拆卸标尺架(V),并测试MOS芯片施加单轴应力的第二输出特性曲线;对比第一和第二输出特征曲线,以获得测试结果。
项目咨询
查看更多咨询
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/04/17
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 联系人姓名 王小刚
  • 联系人电话 15802954800
  • 联系人邮箱 745490733@qq.com
  • 分享至:

地址:中国·西安 太白南路2号 西安电子科技大学 邮编:710071 电话&传真:029-88202821

版权所有:西安电子科技大学工程技术研究院有限公司陕ICP备17012907号