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2019/07/04
咨询成果
发布成果基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域 其他电子信息
- 项目名称 一种低温漂的全MOSFET基准电压源
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明公开了一种低温漂的全MOSFET基准电压源，包括正温度系数电压产生电路、核心电路、零极点补偿电路三部分。正温度系数电压产生电路的输出端与核心电路的输入端连接，核心电路的输出端与零极点补偿电路的输入端连接，零极点补偿电路的输出端经电阻连接至核心电路，为核心电路提供偏置电压。本发明能够简化电路结构，提高电路工作频率，降低基准电压温度系数，使得基准电压在很宽的温度范围内保持稳定的输出，适用于大多数需要基准电压源的模拟和数字电路中。
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2020/07/04
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
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